Samsung dan Qualcomm bekerjasama menghasilkan pemproses Snapdragon 835 yang menggunakan teknologi FinFET 10 nm. Dengan teknologi baru ini cip pemproses yang lebih menjimatkan penggunaan tenaga dan tidak mengurangkan pengasilan haba dapat dihasilkan. Snapdragon 835 dipercayai akan digunakan pada peranti Samsung Galaxy S8 tahun hadapan.
Penghasilan pemproses ini didakwa menggunakan paten yang dipegang KAIST (Korea Advanced Institute of Science and Technology). Pihak KAIST dilaporkan akan menyaman Samsung, Qualcomm, TSMC dan Global Foundries kerana menggunakan teknologi rekaan mereka tanpa membayar lesen paten.
KAIST mendakwa teknologi FinFET mereka “dicuri” oleh Samsung selepas seorang profesor dari Seoul National University melakukan pembentangan mengenai teknologi 10 nm kepada jurutera Samsung. Seoul National University adalah rakan teknologi KAIST. Jumlah saman yang bakal dikenakan masih belum diketahui.
Banyak lagi menarik FB kami
http://ift.tt/14Mtwjx
via Sembang Maniac
0 Komentar untuk "Samsung Dan Qualcomm Bakal Disaman Kerana Penggunaan Paten FinFET 10 nm Tanpa Kebenaran"